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常见问题 J9九游会AG / 常见问题 / 详情介绍

常见陶瓷基板PCB板介绍-J9九游会AGPCB

发布时间:2020-12-11  阅读量(liang):2114

陶(tao)瓷基板(ban)(ban)是(shi)指铜箔在(zai)高温下直接(jie)键合到氧化(hua)铝(lv)(Al2O3)或氮化(hua)铝(lv)(AlN)陶(tao)瓷基片表(biao)面( 单面或双面)上的(de)(de)特殊工艺板(ban)(ban)。所制成的(de)(de)超薄复合基板(ban)(ban)具(ju)有优(you)良(liang)电绝缘性(xing)能(neng)(neng)(neng),高导热特性(xing),优(you)异的(de)(de)软钎焊性(xing)和(he)高的(de)(de)附(fu)着(zhe)强度,并可像PCB板(ban)(ban)一样能(neng)(neng)(neng)刻(ke)蚀出各种图形,具(ju)有很大的(de)(de)载流能(neng)(neng)(neng)力(li)。因(yin)此,陶(tao)瓷基板(ban)(ban)已成为大功率(lv)电力(li)电子(zi)电路结构技术(shu)和(he)互连技术(shu)的(de)(de)基础(chu)材(cai)料。


丰田普锐斯初代的igbt裸片加陶瓷基板底部水冷散热方案

陶(tao)瓷基(ji)板(ban)J9九游会AG产品 的(de)问(wen)世,开启了(le)散(san)热(re)应用(yong)行业(ye)(ye)的(de)新(xin)发展,由于陶(tao)瓷基(ji)板(ban)散(san)热(re)特(te)色,加(jia)上陶(tao)瓷基(ji)板(ban)具有高散(san)热(re)、低热(re)阻、寿命长、耐电压等优点,随着生产(chan)技(ji)术、设(she)备的(de)改良,J9九游会AG产品 价格加(jia)速合理化,进而扩大(da)了(le)LED产(chan)业(ye)(ye)的(de)应用(yong)领(ling)域,如(ru)家电J9九游会AG产品 的(de)指示灯(deng)、汽车(che)车(che)灯(deng)、路灯(deng)及户外(wai)大(da)型看板(ban)等。陶(tao)瓷基(ji)板(ban)的(de)开发成功(gong),为(wei)室内照明和户外(wai)亮(liang)化J9九游会AG产品 提供了(le)更佳的(de)服务,使(shi)LED产(chan)业(ye)(ye)未(wei)来的(de)市场领(ling)域更为(wei)宽广(guang)。


特点

◆机械应力强,形状(zhuang)稳(wen)定;高(gao)强度、高(gao)导热率(lv)、高(gao)绝缘性;结合力强,防腐蚀。
◆ 较好的热(re)循(xun)环性能(neng),循(xun)环次(ci)数达5万次(ci),可靠性高。
◆与PCB板(或IMS基片(pian))一样可刻蚀(shi)出各种(zhong)图(tu)形的结构;无(wu)污染、无(wu)公害。
◆使用温度宽-55℃~850℃;热膨胀(zhang)系数接近硅(gui),简(jian)化功率模块的生(sheng)产(chan)工(gong)艺。


种类

一、按材料来分
1、 氧化铝(Al2O3)
氧化铝基(ji)板是电子工业中最常用的基(ji)板材料(liao),因为(wei)在机(ji)械、热、电性能上相对于(yu)大多数其他(ta)氧化物陶瓷(ci),强度及化学稳定性高(gao),且原料(liao)来源丰富,适用于(yu)各(ge)种各(ge)样的技术(shu)制造以(yi)及不同的形状。斯利通(tong)氧化铝基(ji)板已经(jing)可以(yi)进行三维(wei)定制。


2、氧化铍(BeO)
具有比(bi)金属铝还高的热导(dao)(dao)率,应(ying)用于需要(yao)高热导(dao)(dao)的场合,但温度超过300℃后(hou)迅(xun)速降低(di),最重(zhong)要(yao)的是(shi)由于其毒(du)性限制(zhi)了自(zi)身的发展。氧(yang)化(hua)铍陶瓷(ci)是以氧(yang)化(hua)铍为(wei)主要(yao)成分的陶瓷(ci)。主要(yao)用作(zuo)大规模(mo)集成电路基板(ban),大功率气体(ti)激光(guang)管,晶体(ti)管的散热片外壳,微波输出窗和(he)中(zhong)子减(jian)速(su)剂等材料。


纯氧(yang)化(hua)铍(BeO)属立方晶系,其密度3.03g/cm3。熔(rong)点2570℃,具有(you)(you)很高(gao)的(de)(de)导(dao)热性,几乎与紫铜(tong)纯铝(lv)相(xiang)等(deng),导(dao)热系数λ为(wei)200-250W/(m.K),还有(you)(you)很好的(de)(de)抗(kang)热震性。其介电常数6~7(0.1MHz)。介质(zhi)(zhi)损耗角(jiao)正切值(zhi)约(yue)为(wei)4×10-4(0.1GHz)。最大缺点是粉末(mo)(mo)有(you)(you)剧(ju)毒(du)性,且(qie)使接触(chu)伤口难于(yu)愈合。以氧(yang)化(hua)铍粉末(mo)(mo)为(wei)原(yuan)料(liao)加入氧(yang)化(hua)铝(lv)等(deng)配料(liao)经高(gao)温烧结(jie)而成。制造这种陶瓷(ci)需要良好的(de)(de)防护措(cuo)施(shi)。氧(yang)化(hua)铍在(zai)含有(you)(you)水(shui)气的(de)(de)高(gao)温介质(zhi)(zhi)中,挥发(fa)性会提高(gao),1000℃开(kai)始(shi)挥发(fa),并随温度升(sheng)高(gao)挥发(fa)量增大,这就(jiu)给(ji)生(sheng)产(chan)带来困难,有(you)(you)些国家已不生(sheng)产(chan)。但制品性能优异(yi),虽价格较高(gao),仍有(you)(you)相(xiang)当大的(de)(de)需求量。


3 、氮化铝(AlN)
AlN有两(liang)个(ge)(ge)非常重要的(de)(de)(de)(de)(de)性能值(zhi)得注意:一(yi)个(ge)(ge)是(shi)高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)热导率(lv),一(yi)个(ge)(ge)是(shi)与(yu)Si相匹配的(de)(de)(de)(de)(de)膨(peng)胀系数。缺点是(shi)即使在表面有非常薄的(de)(de)(de)(de)(de)氧(yang)化(hua)层也(ye)(ye)会(hui)对热导率(lv)产(chan)生影响,只(zhi)有对材料和工艺进行(xing)严格(ge)控制(zhi)(zhi)才(cai)能制(zhi)(zhi)造(zao)出(chu)一(yi)致性较好的(de)(de)(de)(de)(de)AlN基板。AlN生产(chan)技术国内像斯利通这(zhei)样能大规模生产(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)少(shao)之又少(shao),相对于Al2O3,AlN价格(ge)相对偏高(gao)许多,这(zhei)个(ge)(ge)也(ye)(ye)是(shi)制(zhi)(zhi)约其发展的(de)(de)(de)(de)(de)小瓶颈。不过随(sui)着经济的(de)(de)(de)(de)(de)提升(sheng),技术的(de)(de)(de)(de)(de)升(sheng)级(ji),这(zhei)种瓶颈终会(hui)消失。
综合以上原因,可以知道,氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能,在微电子、功率电子、混合微电子、功率模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。AlN最高可(ke)(ke)稳定到2200℃。室(shi)温强(qiang)度(du)高,且(qie)强(qiang)度(du)随温度(du)的(de)(de)升高下(xia)降较慢(man)。导热性好(hao),热膨胀系(xi)数(shu)小,是良好(hao)的(de)(de)耐热冲击材料(liao)。抗熔(rong)融金属侵蚀的(de)(de)能力强(qiang),是熔(rong)铸(zhu)纯(chun)铁、铝(lv)或(huo)铝(lv)合(he)金理(li)想的(de)(de)坩埚材料(liao)。氮(dan)化(hua)铝(lv)还是电绝缘(yuan)体(ti)(ti),介电性能良好(hao),用作(zuo)电器元件也很有希望(wang)。砷化(hua)镓表(biao)面的(de)(de)氮(dan)化(hua)铝(lv)涂(tu)层,能保(bao)护它在退火时免受(shou)离子的(de)(de)注入。氮(dan)化(hua)铝(lv)还是由六方氮(dan)化(hua)硼转变为(wei)立方氮(dan)化(hua)硼的(de)(de)催化(hua)剂(ji)。室(shi)温下(xia)与水缓(huan)慢(man)反应.可(ke)(ke)由铝(lv)粉(fen)(fen)在氨或(huo)氮(dan)气(qi)氛中800~1000℃合(he)成,产(chan)物(wu)为(wei)白色到灰(hui)蓝(lan)色粉(fen)(fen)末。或(huo)由Al2O3-C-N2体(ti)(ti)系(xi)在1600~1750℃反应合(he)成,产(chan)物(wu)为(wei)灰(hui)白色粉(fen)(fen)末。或(huo)氯(lv)化(hua)铝(lv)与氨经气(qi)相反应制得(de).涂(tu)层可(ke)(ke)由AlCl3-NH3体(ti)(ti)系(xi)通过气(qi)相沉积法合(he)成  。


4.氮化硅 (Si3N4)罗杰斯(si)公司于2012年(nian)推出(chu)了新(xin)(xin)款(kuan) curamik®系(xi)列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基(ji)板。由于氮化硅的机械强(qiang)度比其它(ta)(ta)陶瓷高,所(suo)以新(xin)(xin)款(kuan)curamik® 基(ji)板能够(gou)帮助设计(ji)者在严苛(ke)的工(gong)作环(huan)境以及(ji) HEV/EV 和其它(ta)(ta)可再生能源应用条(tiao)件下实现至(zhi)关(guan)重要的长寿(shou)命。
采用氮(dan)化硅制(zhi)成的新(xin)款陶瓷(ci)基板(ban)的挠曲强度比(bi)采用 Al2O3和(he) AlN 制(zhi)成的基板(ban)高(gao)。
Si3N4的(de)断裂韧性甚至超过了氧化(hua)锆掺(chan)杂陶瓷。


时至(zhi)今日,功率模块(kuai)内使(shi)用的(de)(de)(de)(de)覆铜陶(tao)瓷基板的(de)(de)(de)(de)可靠性一直(zhi)受制于陶(tao)瓷较低的(de)(de)(de)(de)挠曲强(qiang)度,而后者会降低热循环能(neng)力。对于那些整(zheng)合了极端(duan)热和(he)机械应(ying)力的(de)(de)(de)(de)应(ying)用(例如混合动力汽(qi)车和(he)电(dian)动汽(qi)车 (HEV/EV) 而言,目前常(chang)用的(de)(de)(de)(de)陶(tao)瓷基板不是最佳选择。基板(陶(tao)瓷)和(he)导体(ti)(铜)的(de)(de)(de)(de)热膨胀系数存在(zai)很大差异,会在(zai)热循环期(qi)间对键合区产生压力,进而降低可靠性。在(zai)今年的(de)(de)(de)(de) PCIM 展上(shang)罗(luo)杰(jie)斯公(gong)司(si)推出(chu)的(de)(de)(de)(de)该款(kuan) curamik® 系列氮化(hua)硅(gui) (Si3N4) 陶(tao)瓷基板,将使(shi)电(dian)力电(dian)子模块(kuai)的(de)(de)(de)(de)寿命延长10倍(bei)之多。
 
随着 HEV/EV 和(he)可再生(sheng)能(neng)(neng)源(yuan)应用(yong)的(de)(de)增长,设计者找到了新(xin)方法来确保这些推动极具挑战性(xing)的(de)(de)新(xin)技术(shu)发展(zhan)所需的(de)(de)电(dian)子元件(jian)的(de)(de)可靠性(xing)。由于工作寿命(ming)比电(dian)力电(dian)子使用(yong)的(de)(de)其它(ta)陶(tao)瓷长10倍或(huo)者更高(gao),所以(yi)氮化硅(gui)基(ji)板能(neng)(neng)够提供对(dui)于达到必(bi)要的(de)(de)可靠性(xing)要求至关重要的(de)(de)机械强度。陶(tao)瓷基(ji)板的(de)(de)寿命(ming)是由在不出现剥离和(he)其它(ta)影(ying)响电(dian)路功能(neng)(neng)与安全的(de)(de)故障的(de)(de)情况下(xia),基(ji)板可以(yi)承受的(de)(de)热循(xun)环(huan)重复次数来衡量的(de)(de)。该测(ce)试通常是通过(guo)从(cong) -55°C 到 125°C 或(huo)者 150°C 对(dui)样品进行循(xun)环(huan)运行来完(wan)成的(de)(de)。
 
curamik® J9九游会AG产品 市(shi)场(chang)经理 Manfred Goetz 说:“J9九游会AG 目前的(de)测试(shi)结果(-55°C至150°C)表明(ming),curamik® 氮(dan)化(hua)硅(gui)基板(ban)的(de)使(shi)用寿命比(bi)汽车市(shi)场(chang),特别是 HEV/EV,通常使(shi)用的(de)基板(ban)长十倍以上。同样使(shi)用氮(dan)化(hua)硅(gui)基板(ban)也(ye)令整个模块的(de)寿命大大提升。”
 
使用(yong)寿(shou)命(ming)的延(yan)长对于所有将大(da)型半导体晶片直接键合(he)到基(ji)板(ban)上的功(gong)率模(mo)块应(ying)用(yong)而(er)言都至(zhi)关重(zhong)要,并且对结温(wen)较高(gao)(高(gao)达250°C)的 SiC 和 GaN 晶片尤为重(zhong)要。curamik® 氮化硅(gui)基(ji)板(ban)的热导率为 90 W/mK,超过了市面上其(qi)它基(ji)板(ban)的平均值。
 
新款基板(ban)的机械强度使J9九游会AG 能够利用更薄的陶瓷层,从而降低了(le)(le)热(re)阻,提高了(le)(le)功(gong)率(lv)密度,削减(jian)了(le)(le)系统成本。
 
与(yu)Al2O3 和 AlN 基板相比,其挠(nao)曲强度改(gai)善了很多, 设计(ji)师们将因此而受益。氮化硅的断裂韧性甚至超(chao)过了氧化锆掺杂陶瓷(ci),在 90 W/mK 的热导(dao)率(lv)下达到了6.5~7 MPa/√m。
 


二、 按制造工艺来分
现阶段较(jiao)普遍的(de)陶瓷散热基(ji)板(ban)种类共有HTCC、LTCC、DBC、DPC、LAM五种,其中LAM属于(yu)(yu)斯利(li)通与华中科技(ji)(ji)大(da)学(xue)国家光电实(shi)验室(shi)合作的(de)专利(li)技(ji)(ji)术(shu),HTCC\LTCC都属于(yu)(yu)烧结工艺(yi),成本(ben)都会较(jiao)高(gao)。


而DBC与(yu)(yu)DPC则(ze)为国内近年来才开发(fa)成熟,且(qie)能量(liang)产(chan)(chan)(chan)(chan)化的(de)(de)(de)(de)专业(ye)技术(shu)(shu),DBC是(shi)利(li)用(yong)高(gao)(gao)温加热将(jiang)Al2O3与(yu)(yu)Cu板(ban)(ban)结合(he),其技术(shu)(shu)瓶(ping)颈(jing)在于不易解决Al2O3与(yu)(yu)Cu板(ban)(ban)间(jian)微气孔产(chan)(chan)(chan)(chan)生之问(wen)题,这(zhei)使得(de)该J9九游会AG产品 的(de)(de)(de)(de)量(liang)产(chan)(chan)(chan)(chan)能量(liang)与(yu)(yu)良率受(shou)到较(jiao)(jiao)大的(de)(de)(de)(de)挑战,而DPC技术(shu)(shu)则(ze)是(shi)利(li)用(yong)直接镀铜(tong)技术(shu)(shu),将(jiang)Cu沉积(ji)于Al2O3基(ji)板(ban)(ban)之上,其工(gong)艺结合(he)材(cai)料(liao)与(yu)(yu)薄膜工(gong)艺技术(shu)(shu),其J9九游会AG产品 为近年最普遍(bian)使用(yong)的(de)(de)(de)(de)陶(tao)瓷散热基(ji)板(ban)(ban)。然而其材(cai)料(liao)控制与(yu)(yu)工(gong)艺技术(shu)(shu)整合(he)能力(li)要求较(jiao)(jiao)高(gao)(gao),这(zhei)使得(de)跨入DPC产(chan)(chan)(chan)(chan)业(ye)并能稳定(ding)生产(chan)(chan)(chan)(chan)的(de)(de)(de)(de)技术(shu)(shu)门槛(jian)相对较(jiao)(jiao)高(gao)(gao)。LAM技术(shu)(shu)又称作激光(guang)快速活化金属化技术(shu)(shu)。


1、HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic)
HTCC又称(cheng)为高(gao)(gao)温(wen)共烧多层陶瓷(ci),生(sheng)产制造(zao)过(guo)程(cheng)与LTCC极为相(xiang)似,主要的(de)差(cha)异点在于HTCC的(de)陶瓷(ci)粉末并无加入玻(bo)璃材(cai)(cai)质(zhi),因此(ci),HTCC的(de)必(bi)须再高(gao)(gao)温(wen)1300~1600℃环境(jing)下干燥(zao)硬化成(cheng)生(sheng)胚,接(jie)着同样钻(zuan)上导通(tong)孔,以网版(ban)印刷(shua)技术填孔与印制线路,因其共烧温(wen)度较高(gao)(gao),使得(de)金(jin)属(shu)导体(ti)材(cai)(cai)料(liao)的(de)选择受限,其主要的(de)材(cai)(cai)料(liao)为熔点较高(gao)(gao)但导电性(xing)却较差(cha)的(de)钨、钼、锰…等金(jin)属(shu),最(zui)后再叠层烧结(jie)成(cheng)型。


2、 LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramic)
LTCC 又称为(wei)低温(wen)共烧(shao)多层(ceng)陶瓷(ci)基板,此技术(shu)须先将(jiang)(jiang)无机的(de)(de)氧化铝粉与约30%~50%的(de)(de)玻(bo)璃材料(liao)加(jia)上有机黏结(jie)剂,使其(qi)混(hun)合均匀成(cheng)为(wei)泥状(zhuang)(zhuang)的(de)(de)浆料(liao),接着利用(yong)(yong)刮(gua)刀把(ba)浆料(liao)刮(gua)成(cheng)片(pian)状(zhuang)(zhuang),再(zai)经由(you)一道干燥过程将(jiang)(jiang)片(pian)状(zhuang)(zhuang)浆料(liao)形(xing)成(cheng)一片(pian)片(pian)薄(bo)薄(bo)的(de)(de)生(sheng)胚,然后依各(ge)层(ceng)的(de)(de)设计钻导通孔,作为(wei)各(ge)层(ceng)讯号的(de)(de)传(chuan)递,LTCC内部(bu)线路则运用(yong)(yong)网(wang)版印(yin)刷(shua)技术(shu),分(fen)别于生(sheng)胚上做填孔及印(yin)制线路,内外电(dian)极则可分(fen)别使用(yong)(yong)银、铜(tong)、金(jin)等金(jin)属,最后将(jiang)(jiang)各(ge)层(ceng)做叠层(ceng)动作,放置(zhi)于850~900℃的(de)(de)烧(shao)结(jie)炉中烧(shao)结(jie)成(cheng)型,即可完成(cheng)。


3、 DBC (Direct Bonded Copper)
直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上,其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素,在1065℃~1083℃范围内,铜与氧形成Cu-O共晶液, DBC技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成 CuAlO2或CuAl2O4相,另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。优越性

◆陶瓷基板的热膨(peng)胀系数(shu)接近硅(gui)芯(xin)片,可节省(sheng)过渡(du)层Mo片,省(sheng)工、节材、降低(di)成本(ben);
◆减少(shao)焊层,降(jiang)低热阻,减少(shao)空洞,提高(gao)成品(pin)率;
◆在(zai)相同载流量下 0.3mm厚的(de)铜(tong)箔线宽仅为普通印刷电路板(ban)的(de)10%;
◆ 优良的导(dao)热(re)性,使芯片(pian)的封装(zhuang)非常紧(jin)凑(cou),从而使功(gong)率密(mi)度大大提(ti)高,改善系统和装(zhuang)置的可(ke)靠(kao)性;
◆ 超薄(bo)型(0.25mm)陶瓷基(ji)板可替代BeO,无环(huan)保毒性问题;
◆载流量(liang)大,100A电(dian)流连续通过1mm宽(kuan)0.3mm厚铜(tong)体(ti),温升(sheng)约17℃;100A电(dian)流连续通过2mm宽(kuan)0.3mm厚铜(tong)体(ti),温升(sheng)仅5℃左(zuo)右;
◆热(re)(re)(re)阻(zu)(zu)低,10×10mm陶(tao)瓷(ci)基(ji)板的热(re)(re)(re)阻(zu)(zu)0.63mm厚度(du)陶(tao)瓷(ci)基(ji)片(pian)的热(re)(re)(re)阻(zu)(zu)为(wei)0.31K/W ,0.38mm厚度(du)陶(tao)瓷(ci)基(ji)片(pian)的热(re)(re)(re)阻(zu)(zu)为(wei)0.19K/W,0.25mm厚度(du)陶(tao)瓷(ci)基(ji)片(pian)的热(re)(re)(re)阻(zu)(zu)为(wei)0.14K/W。
◆ 绝缘(yuan)耐压(ya)高,保障人身(shen)安全和设备(bei)的防护(hu)能力。
◆ 可以实现新的封装和组装方法,使J9九游会AG产品 高度集成,体积缩小。


性能要求
(1)机械性质
有足够(gou)高的机械强(qiang)度,除搭载元件外,也能作为支(zhi)持(chi)构件使用;加(jia)工性好,尺寸精度高;容易(yi)实现多层化(hua);
表面光滑,无翘(qiao)曲(qu)、弯曲(qu)、微裂(lie)纹等。
(2)电学性质
绝缘电阻及绝缘破(po)坏电压高(gao);
介电常(chang)数低;
介电损耗(hao)小(xiao);
在(zai)温度高、湿(shi)度大的(de)条件下性(xing)能稳定,确保可靠性(xing)。
(3)热(re)学性质
热导(dao)率(lv)高;
热膨胀系数与相关材料(liao)匹配(pei)(pei)(特别是与Si的热膨胀系数要匹配(pei)(pei));
耐热性优良。
(4)其它(ta)性质
化(hua)(hua)学稳定性好;容易金属化(hua)(hua),电路图形与其(qi)附(fu)着力强;
无吸湿性;耐油、耐化学药品;a射线(xian)放出量小;
所采用的物(wu)质(zhi)无公害、无毒(du)性;在使用温(wen)度范围 内晶体结构(gou)不变化(hua);
原材料丰富(fu);技术成熟;制造容易;价(jia)格低。


用途
◆ 大功(gong)率电(dian)力(li)半导体模块;半导体致冷器(qi)、电(dian)子(zi)加热器(qi);射频(pin)功(gong)率控制电(dian)路,功(gong)率混合电(dian)路。
◆智能(neng)功率组件;高(gao)频开(kai)关(guan)电(dian)源,固态继电(dian)器。
◆汽车电子,航天航空及军用电子组(zu)件。
◆太阳能电池板(ban)组件;电讯专用交换机(ji),接收系统;激光(guang)等工业电子(zi)。


趋势
陶瓷(ci)基(ji)板J9九游会AG产品 问(wen)世,开(kai)启散热应用(yong)行业的(de)发展,由于陶瓷(ci)基(ji)板散热特色(se),加上陶瓷(ci)基(ji)板具有高散热、低热阻、寿命长、耐电压等(deng)优点(dian),随着生(sheng)产(chan)(chan)技术、设备(bei)的(de)改良,J9九游会AG产品 价格加速合(he)理(li)化,进而扩大LED产(chan)(chan)业的(de)应用(yong)领(ling)域,如(ru)家电J9九游会AG产品 的(de)指示灯(deng)、汽车车灯(deng)、路灯(deng)及户外(wai)大型看板等(deng)。陶瓷(ci)基(ji)板的(de)开(kai)发成(cheng)功,更(geng)将成(cheng)为室内照明和户外(wai)亮化J9九游会AG产品 提供服务(wu),使LED产(chan)(chan)业未来(lai)的(de)市场领(ling)域更(geng)宽广。


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